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三星宣布7nm LPP量產(chǎn)！基于EUV光刻技術(shù)、性能增加20%
三星官方宣布，已經(jīng)開始進(jìn)行7nm LPP（Low Power Plus）工藝芯片的量產(chǎn)工作。據(jù)悉，三星的7nm LPP采用EUV光刻，機(jī)器采購(gòu)自荷蘭ASML（阿斯麥），型號(hào)為雙工件臺(tái)NXE:3400B（光源功率280W），日產(chǎn)能1500片。
簡(jiǎn)單來說，EUV使用13.5nm波長(zhǎng)的極紫外光曝光硅片，而傳統(tǒng)的氟化氬(ArF)浸沒式光刻則是依靠193nm波長(zhǎng)，并且需要昂貴的多模掩模裝置。EUV技術(shù)使得使用單個(gè)光罩來創(chuàng)建硅晶圓層成為可能，而ArF可能需要多達(dá)4倍的光罩才能創(chuàng)建相同的晶片。也就是說，與非EUV工藝相比，三星的7 LPP工藝可使光罩總數(shù)減少約20%，為客戶能夠節(jié)省時(shí)間和成本。
三星透露，其從2000年左右就著手研究EUV技術(shù)了。
技術(shù)指標(biāo)上，對(duì)比10nm FinFET，三星7nm LPP可實(shí)現(xiàn)面積能效（同樣復(fù)雜度為量綱）提升40%、性能增加20%、功耗降低最多50%。
三星透露，基于EUV的7nm LPP成功量產(chǎn)為其推進(jìn)3nm奠定了基礎(chǔ)、指明了道路。產(chǎn)能方面，主要在韓國(guó)華城的S3工廠，2020年前會(huì)在開一條新產(chǎn)線。
目前已知，高通新一代的5G基帶會(huì)采用三星的7nm LPP工藝，看起來驍龍8150/8180等SoC希望也很大。
圖為三星EUV產(chǎn)線
免責(zé)聲明:文章內(nèi)容均來自互聯(lián)網(wǎng)收集而來，版權(quán)歸原創(chuàng)者所有，如果侵犯了你的權(quán)益，請(qǐng)通知我們，我們會(huì)及時(shí)刪除侵權(quán)內(nèi)容
三星官方宣布，已經(jīng)開始進(jìn)行7nm LPP（Low Power Plus）工藝芯片的量產(chǎn)工作。據(jù)悉，三星的7nm LPP采用EUV光刻，機(jī)器采購(gòu)自荷蘭ASML（阿斯麥），型號(hào)為雙工件臺(tái)NXE:3400B（光源功率280W），日產(chǎn)能1500片。
簡(jiǎn)單來說，EUV使用13.5nm波長(zhǎng)的極紫外光曝光硅片，而傳統(tǒng)的氟化氬(ArF)浸沒式光刻則是依靠193nm波長(zhǎng)，并且需要昂貴的多模掩模裝置。EUV技術(shù)使得使用單個(gè)光罩來創(chuàng)建硅晶圓層成為可能，而ArF可能需要多達(dá)4倍的光罩才能創(chuàng)建相同的晶片。也就是說，與非EUV工藝相比，三星的7 LPP工藝可使光罩總數(shù)減少約20%，為客戶能夠節(jié)省時(shí)間和成本。
三星透露，其從2000年左右就著手研究EUV技術(shù)了。
技術(shù)指標(biāo)上，對(duì)比10nm FinFET，三星7nm LPP可實(shí)現(xiàn)面積能效（同樣復(fù)雜度為量綱）提升40%、性能增加20%、功耗降低最多50%。
三星透露，基于EUV的7nm LPP成功量產(chǎn)為其推進(jìn)3nm奠定了基礎(chǔ)、指明了道路。產(chǎn)能方面，主要在韓國(guó)華城的S3工廠，2020年前會(huì)在開一條新產(chǎn)線。
目前已知，高通新一代的5G基帶會(huì)采用三星的7nm LPP工藝，看起來驍龍8150/8180等SoC希望也很大。
圖為三星EUV產(chǎn)線
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